新型GaN量子井技术降低镓用量
美国康乃尔大学与 Soctera Inc. 近期发表新型增强型（E-mode）GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT），采用仅数奈米厚的 GaN 量子井作为通道。
相较于传统 GaN HEMT，这项技术可大幅减少 GaN 材料使用量，降低对稀有镓（Ga）资源的需求。同时，该结构也可应用于硅（Si）、碳化硅（SiC）及蓝宝石等基板，具备未来量产应用的潜力。
随着 AI 电源、电动车及高效能功率半导体需求持续成长，低材料消耗与高效率的 GaN 技术将成为重要发展方向。