GaN 高功率组件散热升级，钻石散热材料面临热电协同设计挑战
随着 GaN 功率与射频组件朝高功率、高频率发展，散热管理的重要性持续提升。近期研究利用 TCAD 模拟分析钻石散热片整合于 AlGaN/GaN HEMT 组件后的影响。
研究显示，钻石优异的热导率能有效改善组件散热，但钻石与 GaN 半导体接面之间也可能产生电场与能带弯曲，进而形成界面电荷累积，影响电流传输与组件导通性能。
研究团队因此提出加入工程化界面层，以降低热阻并改善界面电性问题。此研究显示，未来高功率 GaN 组件在选择散热材料时，除了考虑热传导能力，也需要兼顾材料界面的电性特性。